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应用材料公司申请用于进行图案化的高品质C膜的脉冲等离子体(DC/RF)沉积专利，提供具有改进的密度、刚度、蚀刻选择性和膜应力的非晶碳层:离子膜烧碱
金融界2025年8月18日消息，国家知识产权局信息显示，应用材料公司申请一项名为“用于进行图案化的高品质C膜的脉冲等离子体(DC/RF)沉积”的专利，公开号CN120485731A，申请日期为2018
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金融界2025年8月18日消息，国家知识产权局信息显示，应用材料公司申请一项名为“用于进行图案化的高品质C膜的脉冲等离子体(DC/RF)沉积”的专利，公开号CN120485731A，申请日期为2018